ラムリサーチ合同会社

ウェハクリーニングは半導体製造において何度も繰り返し行われ、歩留まりと信頼性を左右する重要な工程です。時にはパターン寸法とさほど変わらない微小な異物を効率良く取り除く必要があります。除去すべき残渣がデバイスを構成する薄膜と化学組成が近い場合もあり、これらのみを選択的に取り去る必要があるのです。

半導体の製造工程全体のプロセスフローの中では多様なクリーニングプロセスが必要になります。ラムリサーチの先駆的なシングルウェハスピンテクノロジーを搭載したDV-Prime® と Da Vinci® 製品はこうしたニーズに応える柔軟性と高生産性を備えています。用途によっては当社のReliant®シリーズのリファブ製品も利用できます。コストを抑えつつ、新品同様の性能と品質保証が得られます。

エッチング技術はあらゆる集積回路（IC） 製造において、チップ内の入り組んだ構造を加工するに用いられます。マイクロマシン等の微細な電気機械システム（Micro-ElectroMechanical Systems：MEMS）の生産工程では大型キャビティや高アスペクト比（High Aspect Ratio：HAR）のディープトレンチのような機械的構造を形作るのに使用されます。

ラムリサーチの DSiE™ シリーズ はMEMS・パワーデバイス・受動素子・センサー・トランスデューサ等のクリティカルや非クリティカルのシリコン深掘り工程で、優れたプロセス制御性能を発揮します。

ベベルクリーンはウェハエッジに付着する不要なマスク、残渣、残膜を工程と工程の間で取り除くものです。これらが残っていると欠陥の元となるのです。例えば、後続の工程で剥離してデバイス領域上に堆積してしまうかも知れません。たった一つのパーティクルでもデバイスの重要な部位に落ちるとチップ全体が不良になりかねません。重要な工程の間にベベルクリーンを行うことで、これら欠陥の元を取り除き、良品チップをより多く得ることができます。

精密な制御と柔軟性のあるプラズマ技術の融合によるデバイス領域を保護するラムリサーチのCoronus® ベベルクリーンシリーズはウェハエッジをクリーンに保ち、歩留まりの向上に貢献します。

タングステン（W）成膜はチップ上にコンタクトホール、ビアホール、プラグなどの導体部分を形成するのに使用します。これらは小さい上に開口が狭く、使用する金属も微少量なので電気抵抗を抑制しつつ完全な埋め込みを実現するのは困難です。このような極微細構造では、ほんのわずかな欠陥でもデバイス性能に悪影響があり、時にはチップが不良品になってしまいます。

市場をリードするラムリサーチのALTUS® シリーズは CVDとALD の両機能を備え、最先端のタングステンプラグのメタライズ工程に不可欠となるコンフォーマルの高い膜を作ることが出来ます。用途によっては当社のReliant®シリーズのリファブ製品も利用できます。コストを抑えつつ、新品同様の性能と品質保証が得られます。